MOS管(MOSFET晶体管)主要用于功率放大和开关控制的半导体器件。具有高输入阻抗、低开关损失、高开关速度和低噪音等优点,因此被广泛应用于各种电子设备中,如逆变器、电源、电机控制、LED驱动等。
【资料图】
各种封装的MOS管
按功能MOS管分PMOS和NMOS,两者的导通条件不同,符号如下图所示:
Nmos和Pmos符号
两类MOS管的导通条件:
下图是NMOS管的两种应用,当NOMS管的S端直接接地时,VGS的电压是只要大于Vt时就会导通,Vt需要查所用NMOS管的数据手册,而S端接负载时不建议使用。
NMOS管的应用示意图
下图是PMOS管的两种应用,当POMS管的S端直接电源时,VGS的电压是只要小于Vt时就会导通,Vt需要查所用NMOS管的数据手册;而S端接负载时不建议使用。
PMOS管的应用示意图
MOS管的主要参数:
开启电压 VT开启电压 (又称阈值电压) :使得源极 S 和漏极 D 之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的 N 沟道 MOS 管, VT 约为 3~6V ; ·通过工艺上的改进,可以使 MOS 管的 VT 值降到 2~3V。
直流输入 电阻 RGS即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS 管的 RGS 可以很容易地超过 1010Ω。
漏源击穿电压 BVDS在 VGS=0 (增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使 ID 开始剧增时的 VDS 称为漏源击穿电压 BVDS ·ID 剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿·有些 MOS 管中,其沟道长度较短, 不断增加 VDS 会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通, 穿通后, 源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的 ID
栅源击穿 电压 BVGS在增加栅源电压过程中,使栅极电流 IG 由零开始剧增时的电压称为栅源击穿电压BVGS 。
5. 低频跨导 gm
在 VDS 为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm 反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征 MOS 管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几 mA/V 的范围内。
6. 导通电阻 RON ·
导通电阻 RON 说明了 VDS 对 ID 的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区, ID 几乎不随 VDS 改变, RON 的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中 ,MOS 管导通时经常工作在 VDS=0 的状态下,所以这时的导通电阻 RON 可用原点的 RON 来近似·对一般的 MOS 管而言, RON 的数值在几百欧以内
7. 极间电容
三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容 CGS 、栅漏电容 CGD 和漏源电容 CDS ·CGS 和 CGD 约为 1~3pF ·CDS 约在 0.1~1pF 之间
8. 低频噪声系数 NF
噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数 NF 来表示,它的单位为分贝( dB ) ·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小。
MOS管的应用举例:
如上图控制LED的开关电路;由于肖特基二极管导通电阻的功耗较大,MOS管可以替代二极管防止电源反接:PMOS管防反接电路
NMOS管防反接电路
H桥电路举例:H桥电路控制某直流电机
其他应用:例如开关电源注意事项:MOS管应用需要考虑电压,电流,开挂速率、功耗和发热等问题,H桥电路驱动时还需要考虑死区问题,否则很容易发热过烫,损坏。
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